隨終端庫存回補與需求轉弱，採購議價急迫性下降，3Q26 合約價的議定時程恐進一步延後。價格方面，Samsung因前季報價已處高點，本季漲幅明顯收斂；SK hynix與CXMT若以對齊價差為目標，漲勢則相對顯著。TrendForce預估整體漲幅將較上季收斂至「季增8-13%」。展望4Q26，在終端需求疲弱與庫存偏高的壓力下，漲幅預期進一步收斂；惟原廠產能持續向server與HBM傾斜的趨勢不變，將成為該季合約價維持不墜的重要支撐。
伺服器記憶體合約價持續看漲。因買方面臨供給缺口積極爭奪貨源，加上原廠庫存低迷及高頻寬記憶體排擠效應，支撐原廠議價優勢。高容量模組溢價隨著產能穩定與需求轉移而收斂。雖然短期庫存攀升，但隨處理器供應改善，長遠市場供不應求將更趨明顯。
PC DRAM季度合約價持續上漲但升幅收斂，買賣雙方陷入僵持。受伺服器需求擠壓影響，原廠未來產能將顯著縮減；需求端則因終端售價上揚抑制消費，筆電出貨大幅下滑。買方對價格高度敏感且積極抵制大幅調漲，惟原廠掌控議價主導權，剛性需求仍支撐價格堅挺。
儘管消費型需求因成本過高而退場、現貨與合約價出現倒掛，但三大原廠產能持續轉向高效能與伺服器產品，成熟製程供給結構性緊縮未變。在車用、工控及伺服器需求支撐下，消費性記憶體合約價維持上行，惟漲勢已較先前趨緩，未來價格成長將漸趨溫和。
TrendForce除針對主流DRAM市場提供產業分析以外，亦針對較利基的Consumer DRAM市場(主要為x16顆粒)提供各家供應商完整的產品規劃、產出數量、以及價格走勢分析。
DRAM賣方維持高價意向，但買方接受度下降致合約議價陷入膠著，現貨交投亦有限。儘管消費端需求轉弱，但在供給限縮與缺貨預期下，客戶仍採取防禦性備貨，使整體市場呈現價格高檔盤整與庫存堆疊的拉鋸觀望格局。
受雲端服務業者強勁需求推動，HBM與伺服器模組需求急升。然受限於設備交期與產能轉移，供給成長持續落後，傳統記憶體遭嚴重擠壓，市場供不應求態勢難解，價格將維持高檔，資本支出與採購策略仍需持續關注。
DRAM因人工智慧伺服器需求強勁與HBM產能排擠，加上新廠實際產出遞延，供給持續緊縮，延續賣方市場；NAND Flash則受惠於新產能陸續釋放與消費端需求疲弱，供需結構轉趨寬鬆，下半年將面臨價格修正壓力，兩者循環呈現明顯分化。
2027年DRAM與NAND Flash供需將出現分歧；在 AI server 強勁拉貨下，DRAM缺口將進一步擴大；反之，NAND在消費端需求疲弱與製程轉進帶動位元產出增加下，sufficiency ratio有望由負轉正，並於2H27面臨價格修正壓力。不過，若僅有NAND價格回落，對消費型產品整體成本的舒緩仍相當有限。整體而言，2027年價格走勢仍充滿變數。
產業新聞
