2009年1月12日<span lang="EN-US" style="color: #232523"
2008年12月31日---肇因於各項NAND Flash相關應用產品需求持續下滑，集邦科技 (DRAMeXchange)對2009年NAND Flash 位元成長幅度持續下修，2008年9月預估為108.2%，10月份則微調至95.3%，11月持續下修至93%，12月份隨著上游廠商持續減產，整體位元成長預估下降至81%。回顧過去幾年NAND Flash位元成長的幅度，2006年為175%，2007年達到151%，2008年平均位元成長值為121%，對於2009年的預估與過去數年相較明顯偏低，也反映出整體市場對消費性電子產品的需求明顯下降。
2008年12月30日---回顧2008年，全球DRAM產業面臨到嚴重供過於求與產業結構的問題，上半年時8吋廠陸續投入非DRAM商品，加速8吋廠轉型並全力轉進12吋廠降低DRAM顆粒成本，並宣示明年導入50奈米的走向不變，此時DRAM業界仍普遍相信景氣回春有機會於下半年浮現，可惜下半年的金融風暴將DRAM產業推入冰河時期，不光DDR2 1Gb eTT
2008年12月23日---DDR2 667Mhz 1Gb價格在10月底跌破現金成本1美元後，仍緩跌至0.6美元，來到廠商的材料成本。DRAM廠在不堪虧損下，減產幅度愈來愈大。根據集邦科技統計，在第四季台灣廠商12吋約當產能已減產近30%，韓系廠商在海力士停掉8吋產能後，十二月再減12吋產能約20%，即使三星未減產，韓系廠商總產能在第四季仍減少16%。明年一月，適逢台灣農曆過年，台系DRAM廠甚至延長休假至2周，第一季產能持續下降。集邦科技預估，減產效應持續發酵，明年一月至三月全球產出持續負成長。但在全球經濟不景氣加上個人電腦第一季銷售下降下，DRAM合約價僅可望落底，上漲動能較弱。
