2008年12月23日---DDR2 667Mhz 1Gb價格在10月底跌破現金成本1美元後，仍緩跌至0.6美元，來到廠商的材料成本。DRAM廠在不堪虧損下，減產幅度愈來愈大。根據集邦科技統計，在第四季台灣廠商12吋約當產能已減產近30%，韓系廠商在海力士停掉8吋產能後，十二月再減12吋產能約20%，即使三星未減產，韓系廠商總產能在第四季仍減少16%。明年一月，適逢台灣農曆過年，台系DRAM廠甚至延長休假至2周，第一季產能持續下降。集邦科技預估，減產效應持續發酵，明年一月至三月全球產出持續負成長。但在全球經濟不景氣加上個人電腦第一季銷售下降下，DRAM合約價僅可望落底，上漲動能較弱。而現貨價則在主要供應廠台系廠商大減產能下，上漲動能較大，有機會上探1美元。
Figure 1: Global DRAM Makers Capacity by Fab
上週(12/16-12/22)現貨市場顆粒急攻大漲逾四成 (截稿為止)，DDR2 1Gb eTT顆粒價格自0.6美元上漲至0.89美元，漲幅達48.3%，而DDR2 667Mhz 1Gb顆粒亦從0.58美元上漲至0.78美元，漲幅亦達34.5%。
在財務壓力下，台系廠商最早被迫減產，而台系廠商為現貨市場主要供應者，其銷貨至現貨市場比例：力晶為90%，茂德：超過50%(含銷售給金士頓)，南科：30%，而國際大廠的現貨銷售比例均僅有5%或更低。明年第一季，在力晶P1、P2、P3的總投片量持續下降下，產出大減，但其供應給合作夥伴爾必達的量維持不變，將使力晶本身的供貨驟減。以力晶十一月產出，約100 M/1Gb約當，扣除給爾必達40M，可銷售顆粒為60M。明年一月在減產效應下，產出預估70M，扣除爾必達的40M，僅有30M。供貨減少一半，且二月、三月供貨量在今年十二月、明年一月的投片量更低下，可銷售顆粒少於30M/1Gb。同時茂德減產幅度更大，南科在十一月亦減產30%(華亞科+自有12吋廠)。台系廠商減產，直接衝擊現貨市場供應。明年第一季，現貨價將扭轉持續低於合約價20%以上的局面，現貨價有機會上漲高於合約價20%-30%。1Gb eTT顆粒供應將大為減少。因此價格有機會上攻至1- 1.2美元。
DRAM十二月下旬的合約價則在電腦系統廠保守看待明年第一季銷售量，DRAM需求量低，合約價再度下跌逾10%，1GB與2GB記憶體模組平均價格落在8美元及16美元左右。DRAM廠表示價格已接近底部，希望明年第一季力守持平，看需求情況是否有機會調漲。
此波DRAM寒流衝擊下，使不輕言減產的DRAM廠，減產幅度甚至高達50%-70%，甚至考量以“接單式生產”，以確保不會生產超過需求。繼韓國、台灣政府，德國政府也正式紓困德國DRAM廠奇夢達，雖外界質疑各國的紓困，不利DRAM產業復甦。但實際上，政府紓困僅能救急，就其紓困金額而言，都僅能供短期營運資金，DRAM廠還是得”減產”以自救。期待全球性減產，能將DRAM的供過於求惡化轉為平衡，使低迷的價格得以回到廠商”現金成本”之上。
集邦科技認為，在DDR2價格未回到“現金成本”1美元，DRAM廠商將在壓力下持續減產。
Figure 2: DDR2 1Gb (128Mx8) eTT spot price
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