根據集邦科技（Trendforce）旗下的 DRAMeXchange 的研究， PC-DRAM(標準型 DRAM)因為智慧型手機與平板電腦等行動手持裝置的興起，在需求端與供給端皆面臨巨大的影響...
According to DRAMeXchange, a research division of TrendForce, 2H'Feb. mainstream NAND Flash contract price...
受全球經濟復甦的不確定因素影響，多數NAND Flash供應商對1H12的市況仍傾向保守，因此1H12的位元成長將以製程技術升級為主，來強化成本的競爭力，2H12開始將視市場需求狀況再適度地增加新的300mm晶圓產能，以縮小NAND Flash市場供過於求的缺口，來減緩價格下跌對獲利性的衝擊，預期主力製程技術將由2H11的2xnm級轉進至2H12的2ynm級，集邦科技預估全球NAND Flash市場位元供給量，將由2011年的9181 M 16Gb equiv.成長70.6% YoY，成為2012年的15663 M 16Gb equiv....
According to DRAMeXchange, a research division of TrendForce, 1H'Feb. mainstream NAND Flash contract price...
PC-DRAM 因為行動手持裝置的興起，在需求端與供給端皆面臨巨大的影響。從需求面來看，消費者對於 PC 的需求，受到平板電腦的衝擊而下滑，使得原先市場成長力道已低的 PC 市況更顯疲弱，這對 PC-DRAM市場來說，無疑是一大考驗；若從供給端來分析，全球 DRAM 廠商為了因應行動手持裝置興起，紛紛切入 Mobile DRAM 市場，並透過調整產能與產品組合的方式，以減輕 PC-DRAM 需求下滑的衝擊...
According to DRAMeXchange, a research division of TrendForce, 1H'Jan. mainstream NAND Flash contract price...
受全球經濟復甦的不確定因素影響,多數供應商對1H12的市況多傾向保守,因此1H12的位元成長將會以製程技術升級為主來強化成本的競爭力,2H12時才會視市場需求的狀況來適度地增加新的300mm晶圓產能，以縮小NAND Flash市場供過於求的缺口，以期能減緩價格下跌對獲利性的衝擊影響程度，預期主力製程技術將由2H11的2xnm級轉進至2H12的 2ynm級，因此集邦預估全球NAND Flash市場位元供給量將由2011年的9213 M 16Gb equiv.成長67.7% YoY成為2012年的15448 M 16Gb equiv...
受到全球總體經濟因素的干擾，第二季系統產品如智慧型手機與平板電腦出貨出貨表現不如預期，零售記憶卡與隨身碟市場同時對於第三季景氣的不確定性升高與下半年旺季效應保持謹慎的態度，因此集邦科技預估2011年的NAND Flash位元需求量將成長72.4%YoY達到8,925M 16Gb equiv...
受惠於智慧型手機與平板電腦的爆發性成長，內建式系統產品佔整體NAND Flash 消耗量將首次突破 50%來到 60.4%的水準，顯示未來 NAND Flash 產業的成長動能將開始由過去記憶卡與隨身碟型態為主的市場，質變至智慧型手機、平板電腦與固態硬碟等系統產品...
集邦科技預期NAND Flash供應商2011年位元產出的成長仍將以製程技術升級為主，並將視市場需求狀況適度地增加新的300mm晶圓產能，以維持NAND Flash市場能處於比較平衡的狀況，以便減少價格下跌對獲利性的衝擊影響程度...
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