據TrendForce表示，美國商務部近期基於《晶片法案》釋出補貼細則，其中明文規定獲補助者未來十年在中國、北韓、伊朗與俄羅斯等，將被限制包含先進製程與成熟製程在內的相關投資活動，且本次法案更新條款限制範疇將比出口禁令更廣泛，恐進一步降低跨國半導體業者未來十年在中國的投資意願。
晶片法衝擊台積電，供應鏈去中化使世界先進、力積電獲轉單
美近年陸續祭出的出口禁令、《晶片法案》等，使得供應鏈去中化影響程度加劇。以晶圓代工的供應端來看，回溯當時的出口禁令，雖以「非平面式電晶體架構」製程（16/14nm及更先進的製程）設備管制為主，但隨著日本、荷蘭陸續宣布將加入制裁行列，恐導致同時可用於生產16nm以下及40/28nm等成熟製程的關鍵曝光設備DUV immersion被劃入禁令範疇，再加上本次《晶片法案》限制，意即中系晶圓代工業者、跨國晶圓代工業者在中國的擴產計劃，不論是先進或成熟製程皆可能受到程度不等的抑制。
需求端方面，自2023年上半年開始，IC設計業者或因終端客戶要求、自主風險規避等因素，陸續轉單或新開案至台系晶圓代工業者，尤以成熟製程為生產主力的Tier 2、Tier 3業者如世界先進（VIS）、 力積電（PSMC）明顯受惠。TrendForce認為，對現階段遭庫存修正衝擊、產能利用率低落的晶圓代工廠無疑為一大助益，預期至2023下半年至2024年對產能利用率的挹注將更顯著。
TrendForce指出，台積電（TSMC）在本次更新的法案中首當其衝，主要是因其在中美兩地均有擴產計畫所致。目前台積電在中國的擴產以Fab16的28nm為主，且已於2022年啟動，擴產相關設備均已陸續移入，加上2022年十月後台積電已取得為期一年之相關設備進口許可，預計2023年中前將擴產完畢。不過，據《晶片法案》新細則來看，台積電獲美補貼後十年內，Fab16的16/12nm以及28/22nm產能擴充將受限，且當中85%產出須滿足中國當地市場需求，加上美出口規範要求跨國晶圓代工業者需申請設備進口許可證等，此將降低台積電未來在中國的投資意願。
記憶體擴產計畫以韓、美等地為主，中國產能占比將逐年下滑
DRAM供應方面，《晶片法案》新細則規定適用於18nm以上製程為主，以三大原廠標準而言約莫是1Xnm，然而各家DRAM主流製程已提升至1Znm以上，在原廠的推動下客戶也都陸續轉進，僅部分Consumer DRAM產品停留在1Xnm以下製程。考量Consumer DRAM需求占比僅有約8%，因此舊製程產線並無擴張計劃，且比重逐年式微。目前三大原廠僅SK海力士（SK hynix）在中國境內設有無錫廠，考量供給過剩與地緣政治等因素後，無錫廠DRAM產出比重已從48%降低至44%，而新廠則預計座落於韓國；三星（Samsung）與美光（Micron）在中國並無DRAM產能，未來擴產計畫將分別以韓國、美國兩地為主。TrendForce基於三大原廠的擴產計畫預估，在韓國DRAM產能比重持續上升的同時，中國DRAM產能占全球比例將逐年降低，預估2023~2025年中國DRAM產能占全球比重將從14%下滑至12%。
NAND Flash供應方面，美國表示有限度的擴產僅適用於128層數以下製程為主，目前三星在西安廠仍以128層製程為主，西安廠產能占約占全球NAND Flash總產能17%；SK海力士收購的Intel大連廠產出占全球NAND Flash總產能約9%。不過，由於各家NAND Flash供應商即將邁向200層以上生產，低於128層的製程明顯無法與較高層次產品競爭，故三星及SK海力士應不會選擇擴張舊製程產線，未來擴產計畫也將建置在韓國或其他地區，中國NAND Flash產能擴張及製程升級將因此受限，預估2023~2025年中國NAND Flash產能占全球比重將從31%跌至18%。
需求方面，不論是DRAM或NAND Flash均面臨同樣狀況，由於許多美系廠已開始限制記憶體存儲產地，或要求代工廠將產線移出中國，以規避地緣政治風險。TrendForce表示，未來中國境內工廠將以滿足中國內需為主，其他市場則是非中國地區以外工廠生產為主，成為壁壘分明的兩種產地。
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