蘋果iPhone X帶起一波3D感測熱潮，關鍵零組件VCSEL更成為市場寵兒，但由於技術門檻高，擁有量產能力的供應商仍相當有限，導致VCSEL出現供應吃緊的問題，進而影響安卓陣營的跟進速度。展望2018年，TrendForce旗下拓墣產業研究院預估，全球智慧型手機3D感測滲透率將從2017年的2.1%成長至2018年的13.1%，蘋果仍將是主要的採用者。
英特爾與美光於2018年1月8日共同宣布，在完成第三代3D NAND Flash研發後，雙方將開啟各自的研發之路，雙方目前共同研發的第二代產品為64層3D NAND Flash，預計第三代將可堆疊96層，也意味著96層以後3D NAND Flash的產品研發，Intel將正式與美光分道揚鑣。儘管這項決議不會對雙方後續的製程提升、產品規劃產生重大影響，但在確定分家之後，雙方將有更大的彈性尋求新的合作夥伴。根據TrendForce記憶體存儲研究(DRAMeXchange)調查，英特爾與紫光集團正積極研擬後續合作計畫，雙方可望建立正式銷售合作關係。
TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示，2017年第四季各供應商持續進行3D-NAND的擴產及良率提升，然需求面僅靠智慧型手機旺季需求動能延續，因此，2017年第四季合約價僅eMMC/UFS上漲0-5%，其他部分如伺服器/資料中心、PC及平板等需求力道減緩，合約價呈現持平，甚至出現小跌走勢，整體NAND Flash市場趨於供需平衡。
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2017年第四季為傳統旺季，在智慧型手機市場需求轉強的預期效應，以及北美資料中心需求強勁的帶動下，主要供應商紛紛提高去年第四季行動式記憶體價格。整體而言，2017年第四季行動式記憶體漲幅平均落在10%~15%，產值達80億美元，較前一季成長23.6%，產值再攀新高。
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，回顧2017年第四季，其中北美資料中心的需求持續強勁，即使原廠透過產品線調整，但仍無法有效紓解市場供給吃緊的狀況。Server DRAM受惠平均零售價(Average Selling Price)的上揚，三大DRAM原廠Server DRAM營收季成長約13.9%。
