全球市場研究機構TrendForce最新研究顯示，在今年度行動式記憶體猛烈的價格漲勢之下，智慧型手機行動式記憶體搭載量的成長動能受到壓抑，預估2017年智慧型手機行動式記憶體平均單機搭載量自3.7GB下修至約3.2GB，與去年相較為僅成長33.4%。
TrendForce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新研究指出，由於DRAM價格高漲，現貨價格長期高於合約價格，然而，自本月20日起，主流的DDR4顆粒現貨價開始微幅下跌，截至目前跌幅約1.92%，往合約價靠攏。不過，在製程轉進後良率提升不易，以及各廠無重大產能開出情況下，預估全年度DRAM價格將維持上升格局。
TrendForce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新研究顯示，隨著下半年各家原廠最新64層堆疊的3D-NAND Flash產能開出，在三星及美光等領頭羊帶領下，預估第三季3D-NAND Flash產出比重將正式超越50%，成為 NAND Flash市場的主流製程，此外，由於新一代iPhone的備貨需求將至，SSD應用需求也穩健成長，預估下半年整體NAND Flash市場仍維持供需較為吃緊的態勢。
Trendforce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新研究顯示，伺服器用記憶體供給持續吃緊，且仍有供給缺口未能完全滿足需求。其中原廠對LTA（Long Term Agreement）伺服器製造商的平均出貨達成率下滑至約八成，顯示供給缺口仍有兩成未能滿足，甚至對其餘中國與台灣ODM廠的出貨達成率下滑至六成左右。預估在需求缺口仍維持的情況下，2017年第二季伺服器用記憶體價格漲勢將延續，漲幅逾10%。
TrendForce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新研究顯示，由於原廠先進製程品質問題頻傳，第二季標準型記憶體供貨吃緊情況未見舒緩，價格漲幅超乎預期。就目前的成交價格看來，第二季4GB DDR4模組合約均價來到27美元，相較第一季的24美元，上漲幅度約12.5%。
