美國商務部於美國時間 10 月 7 日發表新的半導體限制措施，除了現有針對邏輯 IC 領域的限制外，該新版更新更延伸至記憶體範疇；限制的廣泛程度除了中資企業外，外資位於中國境內的生產基地也需要透過「逐案申請許可」方式方能持續取得製造相關設備。另外，針對任何可能使用於軍事用途的晶片，中國也難以透過進口方式持續取得。
根據TrendForce調查顯示，自2021年第四季起受部分消費性電子需求走弱影響，導致記憶體價格進入下跌走勢。加上高通膨、俄烏戰事與防疫封控的衝擊，旺季不旺，致使庫存壓力已由買方端延伸至原廠。為因應前述情況，美光（Micron）上週已宣告減產DRAM與NAND Flash，為首家正式下調產能利用率的記憶體大廠。NAND Flash方面，市況相較DRAM更嚴峻，隨著主流容量wafer合約均價已跌至現金成本，逼近各原廠虧損邊緣，鎧俠（Kioxia）繼美光後也公告自10月起減少NAND Flash產能利用率達30%。
據TrendForce研究顯示，受消費性終端需求持續走弱影響，下游通路商與品牌商庫存壓力遽增，儘管仍有零星特定料件缺貨，但整體而言長達兩年的缺貨潮已正式落幕，而品牌廠也因應市況轉變，逐漸暫緩備貨。但車用及工控相關需求持穩，是支撐晶圓代工產值持續成長的關鍵。與此同時，由於少量新增產能在第二季開出帶動晶圓出貨成長，以及部分晶圓漲價，推升第二季前十大晶圓代工產值達到332.0億美元，然季成長因消費市況轉弱收斂至3.9%。
據TrendForce研究顯示，目前NAND Flash正處於供過於求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少採購量，賣方開出破盤價以鞏固訂單，使第三季wafer價格跌幅達30~35%，但各類NAND Flash終端產品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，導致第四季NAND Flash價格跌幅擴大至15~20%。而絕大部分原廠的NAND Flash產品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供應商在運營陷入虧損的壓力下, 對於採取減產以降低虧損是可能的對應方式。
據TrendForce研究顯示，在高通膨影響下，消費性產品需求疲軟，旺季不旺，第三季記憶體位元消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買方因記憶體需求明顯下滑而延緩採購，導致供應商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供應商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合併議價」或「先談量再議價」的情形，皆是導致第四季DRAM價格跌幅擴大至13~18%的原因。
