集邦：2008年NAND Flash位元成長率達到149% 3Q08仍將呈現供過於求

2008年7月22日---根據集邦科技（DRAMeXchange)，在次貸風暴延燒、通膨隱憂及大陸天災的影響下，閃存(NAND Flash)終端應用需求如手機、音樂播放器(MP3)、記憶卡等產品的傳統淡季效應自第二季中期起更加明顯，使得供過於求缺口也因此更形擴大，從而抵消了海力士(Hynix)在4月初宣示將進行NAND Flash減產的激勵效應，因此價格在4月份小幅反彈後，於6月份因季底效應加上需求疲弱，單月再度下跌達20%以上。

由於目前主要的供應商仍尚未變原先設定的2008年NAND Flash產出成長目標，因此集邦預估2008年整體NAND Flash供給年成長率將達到149% ，但有鑑於2008下半年NAND Flash相關產品的旺季整體需求可能不如往年的成長幅度，而且可能會遞延到第三季中期後才會開始逐漸回溫，第三季的NAND Flash仍將呈現供過於求的狀況。

DRAM 現貨價維持疲弱走勢

DDR2 1Gb 667MHz 現貨價在去年年底$1.87落底， 一路反彈至5月28日到$2.29，漲幅約 22%，儘管之後小幅下滑但在7月9日仍守在$2.01關卡， 而7月21日續跌至$1.97。

7/15-7/21的現貨價格， 根據集邦科技統計，約下跌1%-2%。顯示市場未有明顯的買氣出現。尤其在中國奧運八月舉辦在即，嚴打走私使七月內陸需求大減。 若八月中國內陸需求回籠，卻又面臨歐洲市場八月需求下降。而且部份主要幾家模組廠，通路商仍保有高於一個月的庫存水位，也使得下半年現市場實際需求難有很好的表現。