Mar 22,2010-----今年到2012年DRAM產業供給方面在產能擴充、資本支出、浸潤式機台供給有限,以及40nm以下製程轉進難度高影響下,DRAM位元成長有限。而DRAM需求在全球景氣復甦,帶動消費者及企業換機潮,以及智慧型手機帶動行動記憶體需求大幅成長下,DRAM需求強勁,研究機構集邦科技表示,未來三年,DRAM產業有機會連續獲利。
DRAM產業過去十幾年來,幾乎每三年為一景氣循環周期,以DRAM廠的營業獲利率分析,,2001至2003年DRAM產業連續三年虧損,2004至2006年轉為連續三年獲利,2007至2009年又落入連續三年虧損的循環,今年,DRAM廠終於擺脫三年虧損,進入獲利循環開始,由於全球經濟景氣復甦,Window 7 帶動消費者、企業換機潮,加上資本支出成長有限,製程轉進出現瓶頸, DRAM可望再走向正向循環,,未來三年連續獲利可期。
去年下半年開始,全球景氣逐漸復甦, 國際貨幣基金(IMF)上調今年全球GDP預測,從3.1%上修至3.9%,世界銀行(World Bank)最新預測,今年中國GDP增長率將超過去年的8.7%為9.5%,顯示今年中國仍為全球性經濟成長的動能。根據消費者信心指數顯示,歐洲及日本最壞的經濟谷底已經出現,經濟亦已進入緩步復甦。同時, 各國亦在今年極力降低失業率,透過各項方案增加就業機會,因此經濟復甦及失業率下降,可望帶動未來幾年電腦銷售成長率.。
此外,微軟而在2007年推出的Windows Vista未能成功帶動換機潮,但在去年10月推出Windows 7,可望在帶動消費者及企業PC換機潮,集邦科技預計,在未來三年每年PC出貨量成長將達12%到17%。
手機市場方面,集邦預估,智慧型手機今年成長率將達28.6%。智慧型手機出貨量成長,激勵Mobile DRAM需求大幅成長。去年智慧型手機搭載的Mobile DRAM主流容量為128MB,今年新款智慧型手機,搭載的mobile DRAM容量高達256MB。而下世代的智慧型手機搭載的Mobile DRAM規格再度提高至512MB,出貨量及搭載量皆大幅成長的情況下,預計Mobile DRAM為今年DRAM需求成長另一強大動能。
而蘋果電腦(Apple)的 iPad為今年Mobile DRAM需求成長的另一動能,iPad預計今年4月3日在美國開賣,集邦預估今年將熱賣750萬台,預計搭載Mobile DRAM容量至少為512MB,對行動記憶體總需求成長將再往上提升,也促使三星、海力士、爾必達等DRAM廠大幅增加Mobile DRAM的投片量,排擠到標準型DRAM的產能。
2008年全球經濟下半年面臨金融風暴強襲,導致消費性需求急凍,DRAM廠商均嚴重虧損,大部份DRAM廠商亦在2008第四季開始減產以及8吋廠房去化。今年首季,雖全球景氣已逐漸復甦,DRAM廠商亦逐漸恢復產能,然而,目前八吋產能已幾乎全面去化,全球DRAM產能仍較2008年第二季產能高峰減少20%。由於DRAM廠商新蓋廠房需要2至3年時間才能設備移入,未來兩年內新增的產能,除了先前已蓋好廠房的三星將新增40K產能以及南科預計新增的15K產能外,未來兩年難以大幅增加產能。
DRAM廠商在2008年第四季在金融風暴的衝擊下,虧損大幅擴大,面臨了營運資金短缺及無力償還債務的危機,為求生存,各DRAM廠商皆大幅降低2009年資本支出。今年資本支出在DRAM廠商連續三年虧損下,能投入的金額也將有限,目前DRAM廠商計劃今年資本支出為83.6億美金,雖已較去年成長93%然而與DRAM廠商歷史資本支出相較,仍屬較低水位。,預計未來三年DRAM廠商在獲利的狀況下,資本支出將會穩健成長。
在製程轉進設備方面,50nm以下製程皆需使用浸潤式機台,除DRAM產業外,其餘半導體廠商如台積電、聯電亦需使用到浸潤式機台,目前浸潤式機台供應商ASML市佔率高達9成以上,在滿單的狀況下,各DRAM廠商拿到浸潤式機台時間大多具不確定性。也使DRAM廠在製程轉進速度受限於機台取得時程而可能延後.。
在製程轉進方面,目前僅三星已量產4xnm,海力士及爾必達則計畫今年第二季才量產4x nm,一旦製程轉進稍有不順,將造成今年大缺貨。明年各DRAM廠商即使順利轉進40nm製程,然而進入4xnm以下製程難度加大,投資也要再增加,集邦預估,2011-2012在產能擴充有限,40nm以下製程轉進不易下,年DRAM位元成長將最高達40%左右。
Figure-3 DRAM Cpaex from 2000-2010
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