DRAMeXchange: 合約價接近落底，第二季前價格預期將反彈20%至25%

DRAMeXchange: 合約價接近落底，第二季前價格預期將反彈20%至25%

      Jan. 20th, 2011--根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，一月上旬合約價已接近底部價位，DDR3 2GB均價約17美元，而低價成交價約在16美元價位左右，跌幅更從先前動輒10%的下跌縮小至5%-6%，而一月下旬合約價方面，目前DRAM原廠與PC-OEM間正洽談中，預期價格將呈現持平或微幅下跌走勢。隨著Intel新平台Sandy Bridge於一月初正式發表，加上64位元作業系統普及與低價記憶體因素，預期新主流規格單機將搭載DRAM在4GB或以上，電腦系廠在第一季底及第二季初將開始拉貨提高庫存準備，將帶動DRAM價格反彈20%至25%。

      現貨市場方面，今年一月以來DDR2與DDR3皆呈現持穩的價格走勢，DDR3 1Gb約在0.84美元，而DDR2則在1.35美元上下。由於先前市場價格持續下跌，模組廠及市場通路皆保守因應，維持低庫存水位，隨著中國新年將近，將會有機會帶動一波補貨潮，帶動價格上揚。

2011年台系DRAM廠的轉型與挑戰

      2010年第三季DRAM廠市佔率調查中，韓系DRAM廠已佔全球市佔率約61.2%，三星一舉超過40%的市占率。在韓系DRAM威脅下，台系DRAM也積極往新製程轉進或是轉型生產非標準型記憶體以強化市場競爭力。各家台系廠策略佈局如下：

爾必達集團－力晶，瑞晶
      力晶今年將持續擴大代工方面的投片量，承接非DRAM類型的代工訂單，標準型DRAM除了45nm製程進入量產，原63nm也於年初轉為生產2Gb顆粒，預計下半年全轉為2Gb產出。

      瑞晶於第一季投片已全數轉為45nm製程，同時二月中開始試產38nm製程，是全台最早導入3xnm製程的廠商，在今年年底前38nm將接近過半，同時年底開始試產32nm。

美光集團－南科，華亞科
      南科與華亞科50nm製程目前良率也穩定在75%-80%，產出量更於去年12月大幅成長，42nm初期試產狀況不錯，預計年中後比例將大幅攀升。

利基型DRAM廠轉型成功－華邦電子
      華邦則是成功轉型為生產利基型記憶體的DRAM廠，除了利基型DRAM與Mobile DRAM外，亦將提昇NOR Flash的比重，並逐步將產能往65nm邁進。

市場機制將帶動DRAM產業正向發展

      由於DRAM廠總是在景氣剛回温即大幅增加資本支出、擴張產能、轉進新製程，而當景氣轉差，面臨跌價壓力及損失時，因成本考量仍持續生產，而使DRAM產業價格無法快速回穩， DRAM廠損失持續擴大。但經歷2007至2009年，長達三年的虧損，市場僅回温一年，DRAM廠又面臨虧損困境，DRAMeXchange認為，在此次下跌趨勢中，無政府紓困力量介入，DRAM廠將節制資本支出，市場機制將使競爭力落後的廠商更快速做出調整的腳步，讓產業回歸正向的發展。因此，DRAMeXchange預期，在今年將有DRAM廠商做出重大方向決策，進而改變DRAM產業的生態發展。