日本大地震後3月份主流NAND Flash合約均價累計上漲約5-15%

DRAMeXchange:日本大地震後3月份主流NAND Flash合約均價累計上漲約5-15%

      日本東北(Tohoku)地區在3月11日發 生9.0級大地震後，雖然初期NAND Flash現貨市場已反應，因擔心可能的供給短缺狀況而出現急漲，但 部份NAND Flash供應商在3月上旬時，因對日本震災後的NAND Flash產業供應鏈受影響狀況仍不清楚， 故暫未變動3月上旬的合約價格，但隨著東芝/晟碟(Toshiba/SanDisk)的四日市(Yokkaichi)合資廠受 地震影響，而將產生一些晶圓投片量的減損，以及部份IC上游原物料的供給量，也將因受災區廠房停 產而產生短缺的消息陸續傳出後，NAND Flash供應商們在3月份下旬都已陸續調高NAND Flash的合約報 價，累計3月份主流的MLC NAND Flash合約均價上漲約達5-15%，但3月下旬的部份TLC合約均價則出現 約10%的跌幅，主要是因有些供應商對其2xnm TLC新產品採取了較優惠的定價策略，以吸引記憶卡及 UFD客戶於1Q季底前增加其採購量。

      但2Q NAND Flash市場的供需狀況仍將會受到一些供需不確定因 素的影響，就NAND Flash供給面而言：1.) 在考慮東芝/晟碟的四日市合資廠於日本3月地震期間的晶 圓投片減損量，以及2Q後期的矽晶圓供貨可能吃緊等因素下，我們預估該陣營的2Q產出減少量可能約 佔其2Q位元總產量的10%以下，故也可能使2Q全球NAND Flash位元總產出量減少約4%以下。 2.) 就2Q 上游矽晶圓的供應狀況來看，其中以信越化學(Shin-Etsu Chemical)的白河(Shirakawa)廠停工的影響 最大，該廠約佔全球矽晶圓約20%左右的產出量，目前仍因設備檢修及限電因素而沒有明確的復工進度 ，至於受限電暫時停工的SUMCO米澤(Yonezawa)廠以及MEMC宇都宮(Utsunomiya)廠，因他們在災區的產 能比較小，故對2Q矽晶圓供給的影響也會比較小，以目前NAND Flash廠的庫存水位，以及業者的矽晶 圓採購調度與內部分配策略來看，預期在5月底前尚不會影響到業者NAND Flash的生產計劃。 3.) 若 2Q矽晶圓供給持續吃緊，廠商也可能會在內部不同產品的矽晶圓運用配置上做調整，但目前業者仍在 觀察2Q NAND Flash市場後續的供需發展狀況。 4.) 半導體用的BT 樹脂(resin)主要供應商三菱瓦斯 (Mitsubishi Gas Chemical)及日立化工(Hitachi Chemical)，目前均已計劃自3月底起逐步地回復他 們位於災區工廠的部份產能，故預期5月初時來自BT樹脂方面的影響將會逐漸獲得解決。

      就需求面而言：1.) 2Q的記憶卡及UFD通路市場仍將受傳統淡季 效應的影響。 2.) 日本大地震後 NAND Flash下游終端應用產品如：平板電腦、智慧型手機及PC等的 零組件供應商位於災區的部份工廠，目前仍因限電、原材料短缺或檢修設備而停工，以下游相關業者 現有 的庫存水位及2Q淡季部份終端產品銷售量可能不如原先預期的狀況來看，預計在5月中前尚不會 影響到 業者維持正常的生產計劃，同時下游業者近期也開始尋找及測試可行的替代元件，以做為2Q後 期的生 產應變備用方案。 3.) 考量災後日本市場對NAND Flash終端產品的需求短期內將可能會下降 ，以及部 份NAND Flash終端產品的出貨量將受限於零件短缺或業者遞延部份新產品的鋪貨時程等因素 而減少， 故也將可能會影響到2Q或3Q NAND Flash終端產品的銷售量。

      所幸目前日本災區的交通基礎設施已逐步復元中，且多國專家 已加入福島核電一廠(Fukushima Daiichi nuclear power plant)的搶修工作，災區的相關問題也可望 能儘快地獲得改善，另外日本方面也正在進行重啟部份備用火力發電廠(Thermo power plant)以及夏 季電力供應配置等應急計劃，以減少短中期限電因素對其國內生產活動的影響程度，故綜觀而言我們 預期2Q NAND Flash市場的供給及需求量可能都會同時小幅地減少，在3月份NAND Flash合約價已先反 應短期供給面不確定因素而大漲後，故4月份NAND Flash市場在上述這些供給及需求面的多空因素相互 影響下，預期NAND Flash合約價格可望維持大致穩定，但隨著日本東北及關東(Kanto)地區的限電因素 在2Q中逐漸獲得改善後，預期NAND Flash合約價格將可能會轉為反應2Q中的淡季效應而走軟。