DRAMeXchange：全球DRAM產業2011年第一季營收小幅衰退4.0%

DRAMeXchange：全球DRAM產業2011年第一季營收小幅衰退4.0%

      根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，全球DRAM產業第一季營收數字83億美元，雖然DRAM合約均價較上季下跌30%，但受惠於第一季DRAM顆粒總產出量較前一季約成長15%及各DRAM廠逐步降低標準型DRAM比例轉為附加價值高的行動式記憶體及繪圖式記憶體等產品，總括第一季DRAM廠總營收較去年第四季86億美元小幅衰退4%左右。

      從市場面來觀察，由於DRAM廠在先進製程產能不斷開出下，第一季位元成長率較上季成長約15%，但PC市場銷售不如預期下，與上季相比呈現近7%的衰退，加上PC平均記憶體搭載量沒有顯著成長下，DRAM市場供過於求下，第一季DDR3 2GB合約均價為16.7美元，較上季23.9美元跌幅達30%，而現貨市場方面DDR3 1Gb 1333MHz顆粒均價亦較上季下跌26.7%至1.1美元價位。

      即使DRAM價格在第一季仍呈現下跌的價格走勢，美系及韓系DRAM廠商仍繳出獲利的財務報告，台灣DRAM廠僅有華邦可維持獲利，但其餘仍處於虧損的狀態，加上受到地震影響，整體市場消費信心不足，DRAM廠亦對今年資本支出轉趨保守，2011年的DRAM資本支出下降36%，由去年的117.6億美元降至75億美元，但DRAM 廠仍未停止製程的研發腳步，韓美日DRAM廠商預計今年將30nm製程邁入主流規格，台系DRAM廠亦加速40nm製程轉換，加上各廠商積極的調整產品組合，加重行動式記憶體及伺服器用記憶體比重，調降標準型DRAM產出，尋求未來轉型的契機。

全球DRAM廠自有品牌記憶體營收排名

      從全球DRAM廠自有品牌記憶體營收排名來分析，韓系廠商三星與海力士營收仍穩坐全球DRAM廠前兩位，三星本季營收下降6.1%，三星DRAM市占率仍維持與上季相同約40%左右，由於製程轉進速度優於其他廠商，35nm製程產出逐步拉高，預計年底35nm製程的佔整體產出量可以超過50%，市占率有望進一步提升。海力士本季營收與上季相較微幅上升0.3%，市佔率由上季21.9%上升至22.9%，其主因由於海力士積極降低標準型DRAM比重，提升行動式記憶體及繪圖式記憶體產出比例，即使第一季DRAM呈現價格下滑的趨勢，海力士DRAM營收仍保持微幅的成長。

      日系廠商爾必達方面亦受到DRAM價格下滑影響，第一季營收與上季相比下降約5.1%，市佔率由13.6%下降至13.5%，日前力晶已正式宣布未來產出的標準型DRAM將全數交由爾必達銷售，預計第二季末將對爾必達營收挹注有所貢獻，在產品規劃上，日本廣島廠將專注行動式記憶體與代工方面業務，並將標準型DRAM轉交瑞晶與力晶負責。而子公司瑞晶方面，目前38nm製程試產良率狀況良好，可望第二季末導入量產並大幅提升成本競爭力。美光方面，受到DRAM價格影響，雖然DRAM位元產出本季增加約23%，DRAM營收仍較上季下跌8.5%，但市佔率小幅下滑至11.4%。

      台系廠方面，由於DRAM市場市況不佳，南科第一季營收下滑約3.8%，但本季市占率維持相同4.2%，由於南科在42nm製程持續轉進下與代工廠華亞科產出量增加下，位元銷售量相較於上季成長20%。力晶則是受惠於浸潤式機台正式加入量產行列，45nm製程產出增加下，營收增加8.3%，算是第一季少數DRAM廠營收成長的廠商，未來力晶將轉型為專業代工廠並淡出自有品牌銷售，並加重行動型記憶體、快閃記憶體及代工業務營收，獲利能力可望穩定提升。華邦營收較去年第四季下滑2.7%，由於華邦近期專注於行動式記憶體、利基型記憶體及NOR Flash等毛利較高產品線，獲利表現仍可抱持審慎樂觀的態度。(Figure-1)

DRAM產業自有品牌各國市占率

以各國市占率版圖來分析，韓系廠商合計市占率高達64.1%，美系以及台系DRAM廠方面市占率各為11.7%及10.5%，而日系廠商市占率下滑至13.7%。(Figure-2)