DRAMeXchange:五月下旬DRAM合約價持平開出，日震後呈現的上漲力道已呈趨緩走勢

DRAMeXchange:五月下旬DRAM合約價持平開出，日震後呈現的上漲力道已呈趨緩走勢

      May 25th, 2011--根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，五月下旬DRAM合約價以持平走勢開 出，DDR3 2GB及4GB合約均價分別維持在18.75美元(1Gb $1.02)及36.5美元(2Gb $2.12)，日本大地震 後所帶動的上漲動能已呈現趨緩走勢。從市場面來觀察，由於先前兩家DRAM廠在40nm的良率問題已逐 步獲得改善，供貨方面也有望恢復正常水準，而先前矽晶圓供應短缺的問題，在信越化學及SUMCO的積 極復工下，預計第三季可回復地震前的產能，斷鍊危機已逐漸去化，再者PC-OEM廠對於下半年景氣仍 有疑慮，加上近期DRAM庫存水位已拉回至四周左右水準，整體市場需求減弱下，六月合約價議定將增 添變數。

DRAM微縮製程已近瓶頸，後續進入門檻障礙極高，未來位元成長率將趨緩

      2008年全球DRAM廠競爭激烈，製程競賽自70nm製程後加速，由 於能否優先導入先進製程成為各廠獲利關鍵，從早期一個製程技術可以沿用一年甚至兩年的週期，轉 為現今一年橫跨兩個製程技術，時至今日，各廠仍積極轉進40nm甚至30nm製程，雖然每一個製程技術 可以較前代技術增加20%-30%產出量，但提昇良率的穩定度卻日益困難，40nm製程品質問題頻傳，再再 挑戰DRAM廠30nm製程後的研發技術能力。

      以目前各家技術能力來分析，三星仍穩居各DRAM廠龍頭之位， 35nm製程至第二季末預估將佔三星產能的30%，預計年末將有超過50%DRAM產出皆是採用35nm製程技術 ；海力士由於38nm製程需同時切入6F2領域，預估今年底貢獻產出的比例將非常有限；而日商爾必達子 公司瑞晶在去年第四季已全數導入45nm製程，38nm製程預計六月量產，年末希望達成總投片產能一半 的目標；南科與華亞科現階段致力於拉高42nm的投片比重以及良率穩定度，30nm有機會於年末進行試 產，此外各家記憶體廠為了提高獲利能力，除了降低標準型記憶體的投片比例，也將產能轉往毛利較 高的伺服器用記憶體與行動式記憶體，改善目前DRAM廠的財務狀況。

      展望下一世代的製程演進，除了持續改善30nm製程研發進度與 良率外，無可避免的亦須面對摩爾定律的瓶頸，邁入20nm製程後，不僅設計難度添增往後生產的不確 定性，造價高昂的超紫外光微影設備(EUV)更大幅拉高進入次世代製程的門檻，目前除了有獲利能力的 國際DRAM廠能負擔價格昂貴的機台外，其餘尚在虧損狀態的DRAM廠仍在審慎評估中未來市場的需求， 所幸20nm製程設計難度及資本支出方面進入障礙頗高，預計在2012年底以前仍會是以30nm製程顆粒為 市場主流，有機會讓平均落後一到兩個世代的台系DRAM廠商有短暫喘息的空間。未來兩年的記憶體位 元成長率將會趨緩，可望讓供過於求的標準型記憶體價格產能獲得部份紓解而讓價格回復至合理範圍 。