DRAMeXchange:NAND Flash品牌廠商3Q11營收排行分析

November 1st, 2011--根據集邦科技(TrendForce)旗下研究機構DRAMeXchange調查，3Q11 NAND Flash市場在歐洲債券風波及美國財經議題爭議的影響下，傳統的3Q旺季備貨需求遞延到9月初才開始回溫，7-8月記憶卡及UFD通路市場的需求依然疲弱，且除了某些系統產品客戶有穩定的OEM外，多數下游客戶在7-8月多仍在去化手頭的過剩庫存，因此NAND Flash價格到９月份方因部份系統客戶準備其４Q新產品上市的備貨效應才出現止跌回穩的狀況，因此3Q11整體品牌NAND Flash供應商的ASP下跌約14% QoQ，但因少數平板電腦及智慧型手機客戶的OEM訂單，相對記憶卡及UFD通路市場的疲弱需求仍來得穩健，使得3Q11整體NAND Flash品牌供應商的位元出貨量得以成長約28% QoQ，故整體NAND Flash品牌供應商的3Q11營收增加約9.6% QoQ成為53億4千萬7百萬美元。

依3Q11 NAND Flash品牌廠商季營收排行來看，三星（Samsung）營收為20億3百萬美元，市佔率為37.5%，仍維持第一；東芝（Toshiba）營收為16億9千2百萬美元，以市佔率31.6%仍排名第二；海力士（Hynix）為第三名，營收6億3千3百萬美元，市佔率為11.8%；美光（Micron）為第四名，營收為6億3百萬美元，市佔率為11.3%；英特爾（Intel）列名第五，營收為4億1千5百萬美元，市佔率為7.8%。

3Q11品牌NAND Flash供應商營運分析

三星電子(Samsung)

3Q11雖然記憶卡及UFD通路市場需求較疲弱，但三星因受惠於一些智慧型手機及平板電腦等系統產品客戶OEM訂單的助益下，因此，3Q11季位元出貨量得以成長約20% QoQ，ASP則約下跌約15% QoQ，故3Q11的季營收小幅增加為20億3百萬美元，3Q11市佔率為37.5%。三星預期4Q11來自部份智慧型手機及平板電腦系統客戶的OEM訂單仍將穩健，故其4Q11的位元出貨量將可望成長約10% QoQ以上，4Q11三星將會以持續提高27nm及21nm製程產品的產出比重來強化其成本競爭力，並開發新的eMMC及SSD等來提高其來自系統產品客戶的銷售比重。

東芝電子(Toshiba)

3Q11東芝受惠於某些智慧型手機及平板電腦系統客戶的OEM訂單，以及記憶卡策略夥伴的穩定訂單助益下，使得位元出貨量呈現大幅的成長，雖然仍受價格下跌及日圓升值的影響，但3Q11季營收增加約24.7% QoQ成為16億9千2百萬美元，3Q11市佔率為31.6%。4Q11東芝也將持續地提升24nm及19nm新製程技術的產出比重來強化其成本競爭力，同時也將會開發嵌入式產品及SSD來持續提高系統產品客戶的銷售比重，以因應新興智能移動裝置的成長需求。

海力士半導體(Hynix)

受到歐債風波及全球經濟的不確定因素削弱NAND Flash的終端需求，3Q11海力士主要以提高行動裝置系統產品客戶的銷售比重，來使3Q11位元出貨量增加約16%QoQ，但ASP則下跌14%ＱoQ，故3Q11季營收呈現持平為6億3千3百萬美元，3Q11的市佔率為11.8%。4Q11海力士受惠於某些智慧型手機及平板電腦等系統客戶的穩定OEM訂單，故預期其4Q11的位元出貨量將成長約15% QoQ，4Q11海力士將會持續提高26nm新製程技術的產出比重來強化其成本競爭力，同時也會開發Ultrabook用嵌入式產品及SSD新產品以持續提高系統產品客戶的銷售比重。

美光科技 (Micron)

美光上季因SSD的產品銷售比例提高及某些系統產品客戶OEM訂單的挹注下，季位元出貨量增加約47% QoQ，但淡季效應也使ASP下跌約26% QoQ使得上季營收增加約9.2% QoQ，成為6億3百萬美元，上季的市佔率為11.3%。由於4Q11製程技術將由25nm持續轉進到新的20nm，故美光預估其下一季的位元產出量約成長5% QoQ以上，隨著年終旺季庫存需求回溫，美光預期下一季的ASP約為持平。美光也將進一步提升來自智慧型手機,平板電腦及Ultrabook嵌入式產品及SSD的銷售比重。

英特爾(Intel)

英特爾3Q11在SSD的銷售比重明顯的提高下，呈現ASP小幅上漲，季位元出貨量則約為持平的狀況，故其3Q11季營收成長約10.7% QoQ，成為４億１千5百萬美元，3Q11市佔率成為7.8%。4Q11英特爾也將會開始生產20nm新製程技術的產品及持續提高其SSD產品客戶的銷售比重。