DRAMeXhange：三月上旬主流NAND Flash合約價大致持平開出，終端需求將扮演季底效應關鍵因素

根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange調查，三月上旬主流NAND Flash 合約價大致持平開出，部分合約價均價小跌開出。二月下旬合約價均價受到美系廠商季底效應發酵影響，較二月上旬跌落5%-10%左右。即便季底效應過去，三月上旬市場需求卻持續疲軟，使得記憶卡與隨身碟客戶庫存略為偏高，短期內並無好轉跡象，買氣相對低檔、交易較為清淡，因此三月上旬合約價大致平盤開出。集邦科技認為，三月大部分合約價交易將落在月底，屆時價格將會有較為清楚的走向。

而後續三月底與第二季NAND Flash市況，集邦科技認為，主要影響因素大部分來自終端需求的變化：

1.) 由於中國農曆年假期銷售旺季普遍不如預期，因此部分記憶卡與隨身碟領導品牌業者採取較為積極的降價策略，以刺激淡季消費需求，零售市場的記憶卡與隨身碟市況依舊較為疲弱，除了反映數位相機與消費性電子的銷售受到淡季效應影響外，由於Intel延遲新一代Ivy-bridge處理器晶片上市時間，造成USB3.0所帶動的新增需求遞延，因此短期內記憶卡與隨身碟的出貨量成長將較為遲緩，短期內降價促銷策略依舊扮演重要刺激買氣重要因素之一。

2.) 從系統產品的需求面來看，三月上旬問世的新iPad以及各大品牌廠於2012全球行動大會(Mobile World Congress)上展示的多款搭載高效能處理器與高硬體規格的新款手機與平板電腦，預計上市時間多落在三月與四月，將有助於部分NAND Flash需求；此外，Intel 遞延新款Ivy-Bridge處理器，將延後部分新款超輕薄筆電(Ultrabook)上市時間，市場預期今年智慧行動終端產品銷售發酵期將落在第三季，因此短期內NAND Flash需求面來自於系統產品的幫助相對有限。

自供給面來分析，雖然主要NAND Flash供應商針對較保守的經濟前景採取較謹慎的晶圓擴充計畫，加上去年第四季宣布導入量產的20nm等級晶片良率一直無法有效提升，導致產出增加有限。然而，隨著20nm等級的產品良率逐漸改善，預期產出比率也將開始自第二季逐季攀升，同時20nm等級的eMMC與SSD產品也將自第二季後開始上市，屆時將有助於提升系統產品大量出貨時的應用需求。因此，針對短期NAND Flash市況，集邦科技依舊保持較為保守的看法，主流NAND Flash合約價持續緩步下滑至第二季的趨勢不變。