根據全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，雖然第三季記憶體價格漲幅不若上半年凌厲，但受惠於DRAM整體結構面的大幅改善，第三季全球DRAM總營收仍有9%的季成長，更持續推升DRAM供應商的獲利能力；主要三大DRAM廠營業利益(operating margin) 季增長約達2%，其中差異點主要取決標準型記憶體的產出多寡。
TrendForce研究協理吳雅婷表示，以兩大韓系廠商為例，由於第三季標準型記憶體漲幅高於行動式記憶體，SK海力士標準型記憶體產出比重較大下，其營業利益來到34%，且連續兩個季度超過市占第一的三星半導體。原本預估下半年DRAM價格走勢將受到需求疲弱衝擊，卻因九月初SK海力士無錫大火影響讓平均銷售單價(average selling price)持續上漲，2013年DRAM總營收可望較去年大幅成長四成，產業中僅存下來的三大巨頭都享受到長久未見的豐碩獲利。
從全球DRAM廠自有品牌記憶體市占比例來觀察，三星半導體與SK海力士半導體各為37%與29%，兩者差距再度被拉開，其重點在於三星半導體策略性的提高其標準型記憶體比重，除了想重回該領域的領導地位外，覬覦其豐碩獲利亦是主因之一。長遠來看，三星半導體對其內部的產能調配將會更有彈性，除了該自有三星品牌的智慧型手機將會向其他供應商購買行動式記憶體之外，亦傳出決議在Line16小幅增加DRAM產能，雖然規模僅約當每月30K，但對於轉進25奈米製程所造成的良率損失也能夠產生立竿見影的效果。展望未來產出計畫，雖然行動式記憶體仍占產品組合最大部分，但標準型記憶體的規模也會小幅擴大，由現有的約20%成長至25%，冀望能夠對價格走勢產生更顯著的影響。
SK海力士方面，由於第三季標準型記憶體價格漲幅較上季縮小，相較於前季的40.7%的高成長，第三季成長僅約3.7%，話雖如此，SK海力士獲利能力仍持續攀升，營業利益達34%，為所有廠商當中最高。但展望第四季，受到無錫廠大火影響，標準型記憶體產出受到嚴重衝擊下，產品組合比重從原先的35%驟減至25%，預計三星半導體將重新奪回獲利能力的龍頭寶座。至今無錫產能回復狀況仍不明朗下，將是牽動2014年價格走勢最重要的關鍵因素。
在本次第三季營收市占報告中，TrendForce首度將美光與日商爾必達合併計算，綜合市占為26.2%，新美光集團與SK海力士的差異僅有2%，以月產能來看更已經穩居產業第二，寡占市場結構首度在第三季隱約成型。雖然新美光集團的主流製程較為落後(目前仍以30nm為主)，且爾必達產品平均銷售單價低於同業關係，短期內對新美光集團的獲利能力造成小幅衝擊，但長遠角度來觀察，在製程逐步轉進至25/20nm，及各工廠專注單一主力產品讓產出效益極大化下，獲利能力的爆發性不容小覷。若站在標準型記憶體的角度做觀察，新美光集團的產出比例將占總產業的三分之一強，對該市場的影響力將大幅增加。
台系廠部分，南科由於自第三季停止從華亞科取得晶圓，加上積極轉進30nm製程時所造成的產能降低，以及標準型記憶體在南科比重已低，無法從SK海力士無錫廠火災直接受惠下，讓南科第三季營收小幅下滑8.3%。力晶則是在本季營收中大幅躍進約75%，其原因在於力晶在今年第二季的五月才重新啟動P3廠記憶體代工業務，基期較低下才讓營收有如此突出的表現，其他如代工費用的調漲及承接毛利較高的產品代工亦是營收成長主因之一。華邦則是受到第三季客戶功能型手機出貨逐步降低，導致小容量行動式記憶體銷售不佳，營收小幅下滑5.2%，但隨著九月SK海力士無錫火災影響，利基型記憶體價格上漲將對第四季營收有正面助益。
從市場面來觀察，TrendForce認為隨著九月SK海力士無錫廠大火後，正牽動著市場三強對於第四季甚至2014年的策略規劃，如三星提升DRAM的投片比重、SK海力士傾全力回復無錫廠產能，新美光集團將20nm製程列入首要達成目標，雖然DRAM產業走入寡占型態，穩定價格與獲利是必然的走向，但三強間的彼此競爭仍不會停歇。
相關文章
相關報告
