全球經濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠商態度相對保守，TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，終端裝置平均搭載量與固態硬碟（SSD）需求成長，2016年整體NAND Flash需求位元量將較2015年成長44％，然而生產端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash業者將會加速3D-NAND Flash的開發，整體NAND Flash年度位元產出成長率將大幅成長50%。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，2016年NAND Flash產出將大於需求力道，價格下滑幅度也將大於過去兩年。DRAMeXchange預估2016年整體NAND Flash產值僅年成長0.2%，達266億美元，多數NAND Flash供應商將面臨營運利潤壓縮的挑戰。
2016年NAND Flash產業趨勢分析如下：
3D-NAND Flash開發進度為聚焦重點
2016年是製程轉進以及產品結構轉換的關鍵時期。特別是15／16奈米在2015年第三季成為主流製程後，後續製程微縮的空間將面臨瓶頸，再加上三星早已量產3D-NAND Flash並成功打開在SSD的市占率，刺激其他NAND Flash業者也陸續從今年第四季開始加速3D-NAND Flash的開發。DRAMeXchange預估2016年總晶圓投片量（12吋約當）達到1,670萬片，年成長12%，而因3D-NAND Flash的開發加速進行，預估2016年位元供給率將較今年大幅成長50％，為近四年來新高。
三星的3D-NAND Flash去年開始正式量產，今年憑著積極的價格策略及優異的性能迅速拉開與各家業者的競爭步伐，迫使其他業者加速3D-NAND Flash的開發，預期其他業者3D-NAND Flash的固態硬碟也將在2016年第三季可供系統OEM業者進行認證流程。楊文得表示，雖然整體3D-NAND Flash的產出比重在今年第四季僅有11%，但2016年可望大幅成長至30％，此舉也將有助於降低固態硬碟的成本來提高系統OEM業者的固態硬碟滲透率。
中國業者佈局日趨完整，扮演NAND Flash產業變化的關鍵角色
楊文得表示，今年中國半導體業者投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快，以及在NAND Flash上中下游產業鏈的佈局日趨完整，未來3-5年中國業者以及中國市場將對NAND Flash產業的變化扮演關鍵地位。
在中國政府強力主導下，目前中國以強大的半導體市場吸引力來加大NAND大廠投資建廠規模的成效已開始發酵，如三星西安廠持續擴廠，英特爾也確定將原先邏輯製程的大連晶圓廠轉為生產NAND Flash的半導體廠。DRAMeXchange預估在2016年底前，NAND Flash國際大廠在中國生產的晶圓量占比可來到8％，未來增長的幅度將快速提升。
終端裝置NAND Flash產品平均搭載量攀升，固態硬碟為需求動能亮點
楊文得表示，全球總體經濟不確定的因素升高影響2016年各項NAND Flash終端需求，在裝置端出貨量成長有限的情況下，明年NAND Flash需求面將著重在平均搭載量的成長，又因NAND Flash價格滑落的速度加快，DRAMeXchange預估2016年智慧型手機的eMMC與用戶級固態硬碟（Client-SSD）平均容量將較今年成長30%以上。
用戶級固態硬碟部分，3D-NAND Flash的開發與TLC的普及率提升都加速了固態硬碟價格滑落的速度，也增強個人電腦（PC）業者的採購與設計意願，DRAMeXchange統計2015年的筆記型電腦SSD搭載率約為27%，預期2016年年底128GB的固態硬碟將低於500GB的傳統硬碟、256GB的固態硬碟價格也將逼近1TB的傳統硬碟，DRAMeXchange預估2016年筆記型電腦固態硬碟搭載率將突破30%門檻。
此外，強調及時運算以及效能的資料中心需求量大增，各項雲端運算與服務也隨著APP在智慧型手機的應用快速成長，整體企業級固態硬碟（Enterprise-SSD）的需求維持強勁的成長態勢。DRAMeXchange預估2016年整體固態硬碟位元消耗量份額將到35％，較今年的30%提升不少，成為各NAND Flash終端需求項目中表現最為強勁的種類。
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