根據TrendForce旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查，由於DRAM廠近兩年來產能擴張幅度有限，加上製程轉換的難度，DRAM供給成長明顯較往年放緩，配合著下半年終端市場消費旺季的推波助瀾，DRAM合約價自2016年中開啟漲價序幕。然而，三星傳出在考慮提高競爭者進入門檻下，可能將擴大DRAM產能，恐將改變DRAM供給緊俏格局。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，以主流標準型記憶體模組 (DDR4 4GB) 合約價為例，從去年中開始起漲，由當時的DDR4 4GB 13美元均價拉升至今年第四季合約價30.5美元，報價連續六個季度向上，合計漲幅超過130%，帶動相關DRAM大廠獲利能力大幅提升。截至目前為止，三星第二季度DRAM事業營業利益率來到59%，SK海力士也有54%的表現，美光亦達44%。展望第四季，DRAM合約價持續上漲，各家廠商的獲利能力亦可望繼續攀升。
三星擴產目的維持1-2年技術領先，提升新進者進入門檻
正因DRAM產業已進入寡占格局，理論上廠商對於高獲利的運作模式是樂觀其成，然而，在連續數季記憶體價格上升的帶動下，SK海力士、美光皆累積許多在手現金。有了豐沛的資源，SK海力士將在年底進行18nm製程轉進，無錫二廠也將在明年興建，預計2019年產出；美光藉著股價水漲船高之際宣佈現金增資，代表未來在蓋新廠、擴張產能與製程升級上預做準備，此舉無疑激起三星的警戒心，使得三星開始思索DRAM擴產計畫。
三星可能採取的擴產動作，除了是因應供給吃緊狀況，最重要的是藉由提高DRAM產出量，壓抑記憶體價格上漲幅度。雖然短期內的高資本支出將帶來折舊費用的提升，並導致獲利能力下滑，但三星著眼的是長期的產業佈局與保有其在DRAM市場的領先地位，以及與其他DRAM大廠維持1-2年以上的技術差距。此外，明年堪稱中國記憶體發展的元年，三星透過壓低DRAM或是NAND的價格，將能提升中國競爭者的進入門檻，並使競爭對手虧損擴大、增加發展難度並減緩其開發速度。
SK海力士與美光可望跟進擴產，2018年DRAM供給成長率將達22.5%
DRAMeXchange指出，三星有意將其平澤廠二樓原定興建NAND的產線，部分轉往生產DRAM，並全數採用18nm製程，加上原有Line17還有部份空間可以擴產，預計三星此舉最多將2018年DRAM產出量80-100K，也代表三星的DRAM產能可能由2017年底的390K一口氣逼近至500K的水準，亦將帶動三星明年位元產出供給量由原本預估的18%成長上升至23%。
從整體DRAM供給來看，2018年供給年成長率將來到22.5%，高於今年的19.5%，亦即明年DRAM供需缺口將可能被彌平，預期SK海力士與美光將加入軍備競賽以鞏固市占可能性高，為DRAM市場增添新的變數。
然而，DRAMeXchange認為，三星此舉將可能改變DRAM市場供給緊俏格局，只是修正目前競爭對手的超額利潤，降為較合理獲利結構；再者，隨著大廠將部分投資重心由NAND Flash轉往DRAM，將可望降低明年NAND Flash供過於求的情形，並進而減緩整體NAND Flash平均售價(average selling price)下滑的速度。三星擴廠或許對2018年DRAM市場將帶來部分衝擊，但就整體記憶體產業的長期發展來看未必是負面訊息。
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