根據TrendForce旗下拓墣產業研究院報告指出,由於現行射頻前端元件製造商依手機通訊元件的功能需求,逐漸以GaAs晶圓作為元件的製造材料,加上隨著5G布建逐步展開,射頻元件使用量較4G時代倍增,預料將帶動GaAs射頻元件市場於2020年起進入新一波成長期。
拓墣產業研究院指出,由於射頻前端元件特性,包含耐高電壓、耐高溫與高頻使用等,在4G與5G時代有高度需求,傳統如HBT和CMOS的Si元件已無法滿足,廠商便逐漸將目光轉移至GaAs化合物半導體。而GaAs化合物半導體憑藉本身電子遷移率較Si元件快速,且具有抗干擾、低雜訊與耐高電壓等特性,因此特別適合應用於無線通訊中的高頻傳輸領域。
由於4G時代的手機通訊頻率使用範圍已進展至1.8~2.7GHz,對傳統3G的Si射頻前端元件已不敷使用,加上5G通訊市場正步入高速成長期,其使用頻段也將更廣泛(包含3~5GHz、20~30GHz),因此無論是4G或5G通訊應用,現行射頻元件都將逐漸被GaAs取代。
若以目前市場發展來看,受到2018年下半年受到手機銷量下滑、中美貿易戰影響,衝擊GaAs通訊元件IDM廠營收表現,預估2019年IDM廠總營收將下滑至58.35億美元,年減8.9%。然而,隨著5G通訊持續發展,射頻前端元件使用數量將明顯提升,如功率放大器(PA)使用量,由3G時代的2顆、4G的5-7顆,提升至5G時代的16顆,將帶動2020年整體營收成長,預估GaAs射頻前端元件總營收將達64.92億美元,年增11.3%。
整體而言,隨著各國持續投入布建5G基地台等基礎設施,預估在2021、2022年將達到高峰,加上射頻前端元件使用數量較4G時代翻倍,將可望帶動IDM大廠Skyworks(思佳訊)、Qorvo(科沃)新一波營收成長動能,而台廠射頻代工製造業穩懋、宏捷科及環宇等,也將隨著IDM廠擴產而取得訂單,逐漸擺脫營收衰退的陰霾。
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