TrendForce：2020年第二季DRAM總產值季增15.4%，然第三季價格恐反轉向下

根據TrendForce旗下半導體研究處表示，2020年初在Server DRAM價格強勢領漲的帶動下，各類DRAM價格正式翻揚；即便新冠肺炎疫情在第二季開始蔓延全球，但採購端因擔憂零組件斷貨，並未減少原本預估的訂單量，使DRAM供應商出貨量優於預期，進一步激勵整體DRAM價格漲幅擴大，推升第二季DRAM總產值至171億美元，季成長15.4%。

TrendForce並指出，經過連續兩季的拉貨後，Server業者庫存水位已逐漸攀升，在整體經濟仍處低潮的情況下，以Enterprise Server為首的採購動能開始轉趨保守。在DRAM產業由Server領漲領跌的趨勢下，恐帶動其他產品價格一併反轉向下。因此預估第三季將出現量平價跌走勢，DRAM原廠獲利能力將轉弱。

第二季DRAM價格漲幅擴大，拉升三大DRAM原廠營收與市占

觀察三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)三大DRAM原廠營收表現，第二季走勢一致且無明顯變動，在DRAM量價齊揚帶動下，營收成長皆突破雙位數；而各家市占除三大巨頭以外，其他廠商占比合計僅5%。然第三季由於適逢美光財務年底，推測其會較積極降價求量，可能使市占小幅上揚，但三大廠整體格局仍不受影響。

第二季DRAM整體均價大致上升約10%(受各家產品比重與財務會計區間不同而有所差異)，因此各家獲利皆呈現上揚走勢。以三星而言，營業利益率自第一季32%攀升至41%，突破四成水準；SK海力士因Server DRAM比重高，加上價格漲幅劇烈，營業利益率達35%。美光本次財報區間(3月至5月)的報價漲幅小於韓系廠，因此營業利益率受益有限，僅由上季的16%上升至21%。預期第三季原廠成本優化的速度較難以支撐報價下滑，獲利恐面臨壓力。

疫情導致需求端狀況不明，DRAM原廠謹慎規劃明年產能

從技術發展來看，第二季三星持續將Line 13部份產能由DRAM轉向CIS(影像感測器)，並準備啟動平澤二廠P2L，預計下半年投入DRAM生產，在彌補Line 13投片下滑的同時，也開始拉高1Znm製程比重。SK海力士M10廠DRAM投片持續轉向CIS，同時增加M14產出；下半年將小幅提高無錫廠的產能，全年DRAM位元增加主要來自於1Ynm製程比重提升。

美光今年仍著重在1Znm製程的量產與產出比重的拉升，當前適逢量產初期且部分OEM處於產品驗證階段，因此1Znm占比不高。預計隨著驗證通過，1Znm將成為該公司主推製程，而總產能方面則與去年大致相同。整體而言，今年三大DRAM原廠皆審慎擴增產能，加上疫情對需求端帶來的低潮尚未解除，預估明年位元成長仍有近七成來自1Ynm與1Znm的先進製程轉換；而廠房擴增的產能增加僅占三成。

台系廠商專研先進製程與產品改良，整體表現量價齊揚

觀察台廠方面表現，南亞科(Nanya Tech)出貨量與均價皆呈現約7%漲幅，使其第二季營收較前一季增加15%；而受惠於報價走升其營業利益率來到19.6%。華邦(Winbond)受到長約效應影響，價格成長幅度僅0.5%，相較DRAM營收，Flash成長動能較顯著。力積電(Powerchip)營收僅計自家生產之標準型DRAM產品，第二季因PMIC(電源管理IC)、Driver IC等邏輯產品需求暢旺，導致DRAM產能限縮，因此DRAM營收僅約略持平。

三家台廠在第二季皆專注在下一代製程的研發，如南亞科積極專研1A/1Bnm，期望盡快導入試產；華邦持續提升新製程25nm的良率，而產能擴建傾向以Flash為主；力積電則在25nm DDR4產品改良的同時，以代工邏輯產品為公司之營運重心。