美國商務部於美國時間 10 月 7 日發表新的半導體限制措施，除了現有針對邏輯 IC 領域的限制外，該新版更新更延伸至記憶體範疇；限制的廣泛程度除了中資企業外，外資位於中國境內的生產基地也需要透過「逐案申請許可」方式方能持續取得製造相關設備。另外，針對任何可能使用於軍事用途的晶片，中國也難以透過進口方式持續取得。
根據TrendForce調研，此次更新的限制範疇主要在邏輯 IC（例如 FinFET 或 GAAFET）的 16、14nm 或更先進製程、DRAM 的 18nm 或更先進製程、NAND Flash 晶片的 128 層或更高層數產品三個部分。
對晶圓代工產業衝擊分析
晶圓代工部分，針對設備供應，在 SMIC 2020 年被列入實體清單後，根據 TrendForce 調查，美商務部針對美系設備商欲出口 16nm (含)以下的設備至未被列入實體清單的中系晶圓廠，包含 HuaHong Group 等，甚至外資位於中國境內的生產基地，皆須經過審核方能執行，因此目前中系晶圓廠皆多半以 28nm 及以上的製程發展為擴產(廠)主軸；而中系以外的晶圓代工廠則僅有 TSMC 南京以 28nm 擴產為主，未有先進製程規劃。
TrendForce 指出，儘管中系晶圓廠積極與中國本土、歐系及日系設備商合作，企圖發展非美系產線，並已轉以發展 28nm 及以上的製程為主，但該禁令形同完全扼殺中國發展 14/16nm 及以下先進製程擴產及發展的可能性，且 28nm 及以上的製程擴產亦須經過曠日廢時的審查流程。
此外，繼 8 月底將 NVIDIA A100/H100及AMD MI250 等應用於 HPC 領域的高階 GPU 列入管制範圍內後，本次禁令擴大其限制範圍，未來針對美系廠商，包含應用於 datacenter、AI、supercomputer 等 HPC 領域的 CPU、GPU、AI accelerator 等，皆需要經過審核方可出口至中國，除此之外，各晶圓代工廠恐怕將無法再為任何中系 IC 設計公司製造任何上述提及的 HPC 相關領域晶片。TrendForce 認為，無論中系或美系 IC 公司，目前 HPC 相關晶片多半委由 TSMC 進行製造，製程主流為 7nm、5nm 或部分 12nm。未來不論是美系廠無法再出口至中國市場，或是中系廠無法進行開案、量產投片，都為TSMC 7nm、5nm 製程未來的訂單狀況帶來負面影響。
對記憶體產業衝擊分析
TrendForce 指出，根據美國商務所公布的新規範，在 DRAM 部分將限制在 18nm 製程(含)以下設備需要商務部審查後方能進口，此舉將會大幅限制或遞延中國 DRAM 未來持續發展。CXMT 坐擁中國境內最大中系記憶體市占，自 2Q22 起，該公司致力於 19nm 製程跨入 17nm 製程；雖然該禁令發布前已加速購買未來所需機台，但數量上仍顯不足。加上 CXMT 仍持續興建新廠房，其中含合肥 Phase2 以及與 SMIC 商談中的 SMBC (中芯京城)，後續都會面臨設備取得的難題。
除 CXMT 外，受到限制令影響的還有 SK hynix 位於無錫的 DRAM 生產基地 C2 廠。該廠占全世界總 DRAM 產能約 13%，其製程轉進已演進到 1Ynm 及更先進製程，意即後續的持續新增投產所需設備都要有個案許可證。
TrendForce 同時觀察到，在地緣政治的考量下，雖然當下市場需求低迷，嚴重供需失衡，DRAM 市場中的三大原廠仍規劃在未來 10 年內在母國增建產能，持續降低在中國生產的比重。
在 NAND Flash 的部分，TrendForce 指出，未來進口中國的 NAND Flash 生產設備將受更一步限制，尤其針對 128 層(含)以上設備要求事先核准才准進入，預估該法案將大幅衝擊中國 YMTC 長期廠區升級計畫，以及 Samsung 西安廠、Solidigm 在大連的製程轉進規劃。
TrendForce 指出，此禁令將限制 YMTC 進一步擴大客戶版圖，現階段 YMTC 已積極送驗 SSD 產品，希望於 2023 年成功打入非中國廠商客戶供應鏈。未來隨著禁令影響顯現，美國政府對中國記憶體產業發展採取較嚴格的限制措施，將使得後續非中國客戶對於 YMTC 的使用與意願大幅限縮。
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