據TrendForce統計，2023~2027年全球晶圓代工成熟製程（28nm及以上）及先進製程（16nm及以下）產能比重大約維持在7:3。由於中國致力推動在地化生產、IC國產化等政策與補貼，故擴產進度又以中國最積極，預估中國成熟製程產能占比將從今年的29%，成長至2027年的33%，其中以中芯國際（SMIC）、華虹集團（HuaHong Group）、合肥晶合集成（Nexchip）擴產最為積極；同期台灣成熟製程占比則會從49%，收斂至42%。
擴產聚焦在Driver IC、CIS/ISP與Power Discrete等特殊工藝，二、三線台廠首當其衝
Driver IC方面，主要採用HV（High Voltage）特殊工藝，各家業者近期聚焦40/28nm HV製程開發，而目前市場製程技術較領先的業者是聯電（UMC），其次是格羅方德（GlobalFoundries）。不過，中芯國際28HV、合肥晶合集成40HV將先後於今年第四季、明年下半年進入量產階段，並與其他晶圓代工業者的技術差距逐漸縮小，尤其製程能力與產能相當的競爭者如力積電（PSMC），或暫無十二吋廠的世界先進（Vanguard）、東部高科（DBHitek）短期內將首當其衝；對聯電、格羅方德中長期來看也將造成影響。
CIS/ISP方面，3D CIS結構包含邏輯層ISP與CIS感光層，主流製程大致以45/40nm為分水嶺，邏輯層ISP製程將持續往更先進節點發展；CIS感光層與FSI/BSI CIS則以65/55nm及以上為主流。目前技術領先業者以台積電（TSMC）、聯電、三星（Samsung）為主，但中國業者中芯國際、合肥晶合集成緊追其後，除持續追趕製程差距，產能也受惠中國智慧型手機品牌OPPO、Vivo、小米（Xiaomi）等出海口支撐，加上中國CIS業者OmniVision、Galaxycore與SmartSens因應政府政策，陸續將訂單移回中國進行投產支撐。
Power Discrete（功率元件）方面，主要涵蓋MOSFET與IGBT兩種產品，世界先進、HHGrace深耕Power Discrete製程已久，製程平台及車規驗證覆蓋完整性皆較其他同業更高。而受惠於中國電動車補貼政策以及鋪設太陽能相關基礎建設，中國晶圓代工業者據此獲得更多切入機會，包含主流代工廠HHGrace、中芯國際、合肥晶合集成、CanSemi在內的業者，加上中國本土小型的Power Discrete IDM、晶圓廠如GTA及CRMicro等均加入Power Discrete競爭行列。若中國產能同時大量開出，將加劇全球Power Discrete代工競爭壓力，影響性不僅限於中國本土同業的價格戰，也可能分食台系業者的訂單及客戶。
整體而言，中國透過積極招攬海外及境內IC設計業者投產或研發新品，目的為提高本土化生產的比例，但大幅擴產的結果可能造成全球成熟製程產能過剩，且隨之而來的將會是價格戰。TrendForce認為，中國成熟製程產能陸續開出，針對Driver IC、CIS/ISP與Power discrete等本土化生產趨勢將日漸明確，具備相似製程平台及產能的二、三線晶圓代工業者可能面臨客戶流失風險與價格壓力，如聯電（UMC）、力積電（PSMC）與世界先進（Vanguard）等以特殊製程產品為大宗的台系業者將首當其衝，技術進展和良率將是後續鞏固產能的決勝點。
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