目前觀察DRAM供應商庫存雖已降低，但尚未回到健康水位，且在虧損狀況逐漸改善的情況下，進一步提高產能利用率。不過，由於今年整體需求展望不佳，加上去年第四季起供應商已大幅度漲價，預期庫存回補動能將逐漸走弱。因此，TrendForce預估， 第二季DRAM合約價季漲幅將收斂至3~8%。
據TrendForce研究顯示，在NAND Flash漲價將持續至第二季的預期下，部分供應商為了減少虧損、降低成本，並寄望於今年重回獲利。今年三月起鎧俠/威騰率先將產能利用率恢復至近九成，其餘業者均未明顯增加投產規模。
由於HBM售價高昂、獲利高，進而造就廣大資本支出投資。據TrendForce資深研究副總吳雅婷預估，截至2024年底，整體DRAM產業規劃生產HBM TSV的產能約為250K/m，占總DRAM產能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長約260%。此外，2023年HBM產值占比之於DRAM整體產業約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。
據TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，目前2024年HBM（High Bandwidth Memory）市場主流為HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的規格則為最新HBM3e產品。不過，由於AI需求高漲，目前輝達（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應緊俏，除了CoWoS是供應瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產周期較DDR5更長，投片到產出與封裝完成需要兩個季度以上所致。
TrendForce研究顯示，2023年第四季全球前十大晶圓代工業者營收季增7.9%，達304.9億美元，主要受惠於智慧型手機零組件拉貨動能延續，包含中低階Smartphone AP與周邊PMIC，以及Apple新機出貨旺季，帶動A17主晶片、周邊IC如OLED DDI、CIS、PMIC等零組件。其中，台積電（TSMC）3nm高價製程貢獻營收比重大幅提升，推升台積電第四季全球市占率突破六成。
