集邦：台系DRAM廠面對未來挑戰的策略新局

2009年10月5日----在經歷長達兩年多的景氣下跌，台系DRAM廠今年初積極佈局，力圖從不景氣中走出新方向，集邦科技表示，第二季景氣逐漸復甦下，預估在今年下半年，台系廠商在DRAM營運方面皆可產生營運現金淨流入。
 集邦科技表示，標準型DRAM合約價在2007年初因供過於求開始急跌，全年價格較前一年度下跌達83%。2008年，DDR2全年均價又較2007年再下跌30%。各家DRAM廠在2008年第四季由於營運現金部位不斷下降，資本市場募資不易，面臨退出或接受政府紓困的困境。
 今年首季，台系DRAM廠產能稼動率降至20%到50%，第二季DRAM合約價格DDR2 1Gb也由去年年底最低點0.75美元，上漲至九月下旬的 1.7美元，價格走勢由幾乎跌破廠商的材料成本，漲至現金成本以上。
 各家台系廠商也已開始調整營運策略，目前，南科，華亞科在富爸爸台塑大力支持下，並且與美光展開合作，持續在標準型DRAM技術轉進，而力晶、茂德、華邦電也都展開不同的布局規劃。
 在南科、華亞科方面，2008年3月與美光簽訂技術合作備忘錄，並在同年10月受台塑集團協助下，美光正式取得華亞科36.5%股權，取代原奇夢達於華亞科持股，而在台灣政府表態要協助台灣DRAM廠，及金融風暴下資本支出大減，南科、華亞科暫緩原訂美光技術轉移的時程。
 今年3月中，政府推出TMC方案，在與美光取得共識後，4月中，南科、華亞科、美光共同聲明不加入TMC聯盟。4月17日南科董事會通過減資新台幣311.78億元、幅度達66.43%，減資後，再透過私募與現金增資兩種方式增資，上限80億股，台塑集團全力支援南科增資。
 目前，南科已移入兩台浸潤式微影設備，預計明年首季加速轉進美光50奈米製程，而華亞科也已移入一台浸潤式微影設備，預計明年陸續移入3台到5台。在轉進美光50奈米製程後，南科、華亞科的DDR2/DDR3 1G生產成本將由奇夢達70奈米的2.5美元降至$1.5美元或更低，若明年DDR2/DDR3 1G均價維持在1.5美元以上，南科、華亞科將可擺脫長期虧損而轉為獲利。
 在力晶、瑞晶集團方面，今年三月，力晶出售部份瑞晶持股與技術合作廠商爾必達，瑞晶正式成為日商爾必達子公司。原本的產能分配協議從今年三月後暫改為瑞晶產能全數轉給爾必達，力晶旗下產能不再分配給爾必達，對爾必達而言,原本自瑞晶取得一半產能及力晶4成產能的顆粒產出，相等於目前取得的瑞晶產能的總產出。
 對力晶而言，則可全盤規劃掌控旗下的產能，而且不需再以低於市價的價格出貨與爾必達，今年首季，力晶旗下12吋廠P1、P2、P3總產能13萬片，投片月平均僅達3萬片，產能稼動率低於3成，而在價格回升，旺季需求增温下，第四季投片將達10萬片，產能稼動率接近8成。
 在力晶目前最新的策略布局是，預計在2010年P1以代工單為主，P2生產標準型DRAM，技術隨爾必達進度轉進60奈米 Buried Wordline，再進而40奈米，P3則開始量產NAND Flash，力晶於NAND Flash設計,研發,製造已耕耘多年，2006年取得新竹用地P4、P5原計劃生產NAND Flash，目前力晶也以70奈米量產4G MLC，計劃明年上半年量產50奈米8G MLC，下半年導入40奈米16G MLC，但以NAND Flash生產所需的技術，資金的挑戰更甚於DRAM，力晶是否能順利量產，進而以NAND Flash填滿P3產能，市場認為後續值得觀察。
 然而，NAND Flash持續短缺，甚至明年由於三星、東芝、美光產能可能維持不變或僅小幅度增加，3X奈米製程的轉進限於良率也難以大幅提升，預估NAND Flash明年將持續短缺，在今年NAND Flash短缺時，三星為滿足系統客戶的需求，對二線客戶供給大減，幾家記憶體卡廠商如金士頓、創見皆面臨供給缺口.因此，據悉，力晶已有NAND Flash記憶卡大廠表示願出資給力晶買進設備及技術研發，若力晶成功量產NAND Flash約3萬片到4萬片，則明年產能稼動率將達100%,營運方面，不僅在今年第三季已產生營運淨現金流入，明年更有可能轉虧為盈。
茂德方面，今年2月，在銀行團通過借款及政府的協助下，茂德與海外無擔保可轉換公司債持有者完成協商，並順利的以原金額的20%到25%收購在2月14日到期的110億元海外無擔保可轉換公司債，度過營運危機。
在低現金水位下，茂德現在產能稼動率維持在20%到30%左右，上半年投片產出以消費型DRAM(DDR1)為主，但隨著近期DDR2價格急速攀升，第三季末投片已轉為DDR與DDR2各半的狀況。預計第四季，產能稼動率將拉至近40%，對於未來的產能規劃，茂德正積極與潛在客戶洽談，爾必達計劃明年首季開始，在茂德下單2萬至3萬片的DDR2/DDR3,某DRAM模組大廠也在DRAM短缺下，要求茂德生產近1萬片的DDR2 512M供貨.9月成立的TIMC(台灣創新記憶體公司)目前以茂德中科廠為研發生產基地，另外也洽談2萬片的編碼型快閃記憶體(NOR Flash)。若明年景氣好轉，茂德順利接獲以上大單，產能稼動率將達8成以上。
 而華邦電在今年7月與國內9家銀行簽訂3年期新台幣37億元聯合授信案，資金用途主要為償還今年度到期的長期負債，及充實營運資金，且今年第二季開始，華邦電已經有現金流入，因此在營運資金方面，目前不虞匱乏。
 在產能利用率方面，由於利基型記憶體需求大增，從第二季開始，華邦產能已處於滿載的狀況。華邦目前規劃將逐步減少標準型記憶體的產量，同時增加利基型記憶體，編碼型快閃記記體及行動應用記憶體的產出及進入繪圖記憶體市場。繪圖記憶體產品(GDDR3)，預計在今年第四季可量產。華邦電將採用奇夢達記憶體技術的代工訂單為主，朝向自主開發與代工同時並進。