2009年10月5日-----隨著全球經濟可望在2010年復甦,明年各種NAND Flash的終端應用產品的出貨量也將轉為成長,研究機構集邦科技(DRAMeXchange)表示,未來手機、SSD、記憶卡將內建更高容量NAND Flash,預估2010年全球 NAND Flash將出現缺貨,需求的位元產出將比今年成長81% ,達到10986 M GB。
集邦科技預期,明年MP3 記憶卡及UFD等的NAND Flash的傳統應用產品的內建容量也將會持續提高,新的應用領域也將為NAND Flash市場帶來新的成長動力,例如: 智慧型手機的出貨量將持續成長,且將搭配更高的NAND Flash內建容量,而供應商也將更積極的推廣SSD在各種電腦相關的應用領域。
就NAND Flash供給面而言,集邦科技表示,目前多數NAND Flash供應商多處在由虧轉盈的階段,許多供應商將以2010年市場需求的成長率,來做為明年產出成長目標參考,以使NAND Flash市場能維持在較平衡的狀態,供應商目前對明年的擴產計劃仍多傾向保守的態度,預期2010年NAND Flash晶圓總產出量將僅比2009年微幅增加,估計明年的資本支出仍將以製程技術升級為主。
由於多數供應商於今年第四季才逐漸增加3xnm製程技術產量,集邦科技預期,這些供應商量產2xnm製程技術的時程將落在明年下半年,另外供應商也是自第四季才正式量產3-bit/cell MLC的產品,估計在經過一段推廣期及產品技術改良後,出貨比重才可望在明年下半年明顯提高,集邦科技估計,2010年全球 NAND Flash供給的位元產出,將比今年成長79%,達到10759 M GB。
就供需缺口的狀況而言,集邦科技表示,2010年由於供應商節制產出成長,及終端應用需求回溫,預估明年的NAND Flash全年供需缺口可望由今年較平衡的狀況,轉為偏緊,約2%的供需缺口,但季節性因素仍會影響季度的供需缺口,預期明年上半年NAND Flash市場因淡季因素,由今年下半年的供給偏緊轉為的小幅供過於求,但明年下半年可望因為旺季效應,轉為供給吃緊的狀況,集邦科技預期,未來價格的波動性將會趨緩,而以反應製程技術提升的成本下降效益為主。
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