June 30th,2010-----針對DRAM廠明年獲利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange指出，明年DRAM均價較今年下跌約30%。然而隨著製程轉進、成本下降，DRAM廠營業利益率(OP Margin)成本優勢最佳者，今年營業利益率平均為36%，明年平均為26%；而成本優勢落後者，今年下半年轉虧為營，明年營業利益率約可維持在10%上下。
DRAMeXchange表示，今年下半年DRAM產業製程加速4xnm轉進，產出增加將帶動價格下跌，然而價格下跌將刺激DRAM搭載量趨勢往4GB以上，預估DRAM均價於今年第四季向下修正。
此外，面對三星擴大資本支出，產能增加及技術轉進，其他DRAM廠也積極強化其競爭力，DRAMeXchange指出，策略規劃與未來發展的方向分析方面，海力士將2010年資本支出調高近1/3達26億美元，加速44nm製程及NAND Flash 3xnm之技術轉進。美光陣營方面，在50nm轉進同時，加速42nm製程研發。預計於Q310開始投片量產，南科與華亞科計畫二度調高資本支出，加速浸潤式機台採購進度與美光同步42nm製程技轉。
爾必達陣營則今年提昇在廣島廠行動記憶體投片比重，將標準型DRAM生產重心移往台灣瑞晶，目前瑞晶已正式量產63nm製程，42nm製程預計七月正式投片。力晶則規劃加強代工與NAND Flash的比例，未來朝標準型DRAM、代工業務與NAND Flash三大事業體多元化發展。
華邦則決定淡出標準型DRAM，業務發展優先順序依次為NOR Flash、繪圖記憶體、行動記憶體，同時在取得奇夢達46nm技術，自行再研發生產46nm。茂德則是出售新竹二廠，集中資源於中科廠，積極導入爾必達63nm製程技術。
三星於5月中旬宣佈今年記憶體事業群將投資金額由原先的5.5兆韓元(約48億美元)，加碼到9兆韓元(約78億美元)，並將興建20萬片的12吋晶圓廠Line 16、17，生產DRAM與NAND Flash，投片計劃則視當時市場而定。估計廠房、無塵室興建及設備移入時間約需一年，最快明年第三季可投片生產，產出則在明年第四季，今年下半年將擴充現有Line-15的產能並開始轉進35奈米DDR3。 三星今年也將在System LSI業務方面投資約2兆韓元(17億美元)，以因應手機與數位電視等產品對系統級晶片(SoC)的強勁需求，同時強化晶圓代工業務。
三星今年大幅提升其資本支出，使三星占整體DRAM產業資本支出比例由往年約25%大幅提升至41%，主要加重研發及廠房設備投資，全部台系DRAM廠資本支出今年約占整體產業34%。今年第一季三星DRAM方面的營收約30億美元，市占率達32%，在資本支出增加、產能擴充及技術轉進下，預估三星DRAM營收市佔率在今年下半年將突破35%，2011年將突破40%。
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