2009年1月15日--根據集邦科技，1月下旬NAND Flash合約價持續地反彈，主要反應近期供應商減產效應的持續發酵及客戶在中國農曆年前的補貨需求回溫，為因應中國農曆年前的客戶鋪貨作業，多數廠商也提前開出1月下旬的NAND Flash合約價，雖然目前市場對低容量NAND Flash的需求已在遞減，但在近期NAND Flash供應商宣布4Q08及1Q09將陸續淘汰約20% QoQ 200mm NAND Flash晶圓產量消息的激勵下， 8Gb MLC & 4Gb MLC的平均合約價上漲幅度分別達到23-27%，此次的減產在8吋的比例最高，造成4Gb & 8Gb MLC的NAND Flash供應量大減，所以價格的漲價幅度最大。
根據集邦科技統計去年九月至今年一月間的最新的投片量，全球減產已逾22%，其中以台灣減產幅度最高達55%，顯見DRAM廠自九月宣佈減產後每月仍不斷持續減少投片量已超過當初對外所宣稱的比例，加上實行有限度的出貨策略，自十二月份起已出現價格反彈的訊號，首先現貨市場DDR2 1Gb eTT顆粒價格自12月中大舉反彈至今逾75%，合約價亦自一月上旬止跌回穩，待PC OEM需求歸隊，反彈之路指日可待。
2009年1月6日---根據集邦科技( DRAMeXchange),現貨市場方面DDR2 1G eTT自十二月中開始起漲，顆粒價格從低點的0.59美元上漲至今0.92美元 (12/15-1/6)，漲幅將近56%，DDR2 667Mhz 1Gb亦不徨多讓，價格也從0.58美元上漲至0.78美元，漲幅約34%，由市場面來觀察，雖然近期適逢聖誕假期與新年關係，歐美市場陸續休兵，雖僅剩亞洲市場獨撐大局，並未出現大幅下跌的走向，整體現貨顆粒價格仍持續走穩上揚。再者，以現貨市場為主的台系DRAM繼續控制出貨量的方針依然不變，原因在於以目前的顆粒價格來說，仍未達到廠商的1.3-1.5美元的現金成本，為了保有現金與價格水位，出貨量的控制將有再繼續的必要性。
2008年12月31日---肇因於各項NAND Flash相關應用產品需求持續下滑，集邦科技 (DRAMeXchange)對2009年NAND Flash 位元成長幅度持續下修，2008年9月預估為108.2%，10月份則微調至95.3%，11月持續下修至93%，12月份隨著上游廠商持續減產，整體位元成長預估下降至81%。回顧過去幾年NAND Flash位元成長的幅度，2006年為175%，2007年達到151%，2008年平均位元成長值為121%，對於2009年的預估與過去數年相較明顯偏低，也反映出整體市場對消費性電子產品的需求明顯下降。
2008年12月30日---回顧2008年，全球DRAM產業面臨到嚴重供過於求與產業結構的問題，上半年時8吋廠陸續投入非DRAM商品，加速8吋廠轉型並全力轉進12吋廠降低DRAM顆粒成本，並宣示明年導入50奈米的走向不變，此時DRAM業界仍普遍相信景氣回春有機會於下半年浮現，可惜下半年的金融風暴將DRAM產業推入冰河時期，不光DDR2 1Gb eTT
