2009年10月5日-----隨著全球經濟可望在2010年復甦，明年各種NAND Flash的終端應用產品的出貨量也將轉為成長，研究機構集邦科技(DRAMeXchange)表示，未來手機、SSD、記憶卡將內建更高容量NAND Flash，預估2010年全球 NAND Flash將出現缺貨，需求的位元產出將比今年成長81% ，達到10986 M GB。 集邦科技預期，明年MP3 記憶卡及UFD等的NAND Flash的傳統應用產品的內建容量也將會持續提高，新的應用領域也將為NAND Flash市場帶來新的成長動力，例如: 智慧型手機的出貨量將持續成長，且將搭配更高的NAND Flash內建容量，而供應商也將更積極的推廣SSD在各種電腦相關的應用領域。
2009年10月5日----在經歷長達兩年多的景氣下跌，台系DRAM廠今年初積極佈局，力圖從不景氣中走出新方向，集邦科技表示，第二季景氣逐漸復甦下，預估在今年下半年，台系廠商在DRAM營運方面皆可產生營運現金淨流入。 集邦科技表示，標準型DRAM合約價在2007年初因供過於求開始急跌，全年價格較前一年度下跌達83%。2008年，DDR2全年均價又較2007年再下跌30%。各家DRAM廠在2008年第四季由於營運現金部位不斷下降，資本市場募資不易，面臨退出或接受政府紓困的困境。 今年首季，台系DRAM廠產能稼動率降至20%到50%，第二季DRAM合約價格DDR2 1Gb也由去年年底最低點0.75美元，上漲至九月下旬的 1.7美元，價格走勢由幾乎跌破廠商的材料成本，漲至現金成本以上。
2009年9月24日---研究機構集邦科技(DRAMeXchange)表示，9月下旬主流MLC NAND Flash 合約均價小幅上漲約1%到3%，展望未來價格走勢，需視中國十一長假銷售情況，以及歐美市場耶誕旺季需求，才可判定供貨偏緊情況是否持續。 由於多數NAND Flash供應商在9月到10月採行優先供貨給電子系統廠客戶的長期訂單，而無法滿足記憶卡 以及UFD客戶在中國十一長假的短單需求，因此9月下旬NAND Flash合約價呈現部份上漲及部份持平的狀況。 集邦科技表示，多數供應商的3xnm製程產品的產出比重從今年第四季起逐漸增加，近期供應商接獲一些手機客戶第四季旺季備貨訂單，有助於去化新增的產出量。
2009年9月17日-----現貨市場顆粒價格自7月中旬強勢上漲，DDR2與DDR3現貨顆粒成交價紛紛攀升至近12個月來的新高價格，成長近63%，集邦科技(DRAMeXchange)表示，台系DRAM廠投片量逐月增加，下半年台廠獲利大幅改善，第四季DRAM投片量可望創今年新高。 根據集邦科技報價顯示，DDR2 1Gb eTT現貨顆粒價格從7月15日1.05美元上漲至9月15日的1.71美元，漲幅高達63%。DRAM顆粒價格回升，使台系DRAM廠七月與八月營收分別成長了10%與19%。 集邦科技表示，去年金融風暴造成消費緊縮，但在景氣逐漸復甦下，今年7月以及8月電腦系統廠加緊鋪貨動作，並樂觀期待Window 7 的影響下，帶動今年的銷售旺季銷量。因此，DRAM廠自今年7月在需求增温下，出現睽違已久的缺貨現象。
2009年9月17日-----研究機構集邦科技(DRAMeXchang)表示，部分手機大廠今年持續地推出內建8至32GB NAND Flash的智慧型手機(Smartphone)，加上MP3/PMP業者近期為旺季需求推出改款、且內建16至64GB高容量的新產品，估計NAND Flash 11月前供貨吃緊。 與2006至2008每年都出現因供給過剩而導致價格快速滑落的情形不同，NAND Flash自2009年初以來價格一直呈現穩定向上的局面，集邦科技表示，發生這樣情況的主要原因是東芝(Toshiba)今年上半年將兩座12吋Fab廠的產能利用率(Utilization Rate,UR)降至70%，而其他NAND Flash供應商也降低自家Fab廠的產能利用率，使上半年傳統淡季發生供給過剩的機會立刻降低。
